Characterisation de jonctions de transistors SOI réalisés à bas budget thermique // JUnction defect characterization of low therMal Budget SOI MoSFET

Topic description

Rejoignez CEA-Leti et CROMA pour analyser en profondeur les jonctions d'une nouvelle technologie. En effet, nos transistors sont fabriqués sous un budget thermique restreint pour une intégration séquentielle 3D, ce qui rend l'activation des dopants très difficile ! Notre équipe vous soutiendra techniquement et scientifiquement pour mener à bien ce travail. Certaines données sont déjà disponibles et n'attendent que votre analyse.



Au cours de cette thèse, vous aurez l'opportunité de réaliser toutes ces taches:

De l'idée (simulation, bibliographie, TCAD) 20%

Compréhension des processus (implantation, SPER) 10%

Gestion de l'intégration et de la fabrication en salle blanche 10%

Caractérisation (physique et électrique : bruit, DLTS…) 50%

Valorisation (présentations, articles) 10%



Cette thèse offre une chance unique d'être à la pointe de l'innovation technologique et de faire un i...